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海力士宣布量产321层QLC NAND，读取性能提升18%，写入性能提升56%

2025年8月25日，韩国半导体巨头SK海力士宣布，该公司现已成功完成321层2Tb（太字节）QLC NAND闪存的研发，并正式启动量产。这一里程碑式成果标志着全球首次在QLC闪存技术中实现300层以上的3D堆叠，创下闪存存储密度的新纪录。

这款全新的2Tb存储器件将现有解决方案的容量提升一倍，增强了SK海力士在内存市场的竞争力。该产品预计将于明年上半年正式推出。

为解决大容量NAND可能出现的性能下降问题，公司还将芯片内独立操作单元（平面）的数量从4个增加到6个，从而实现更大的并行处理能力，明显提升了同时读取性能。

SK海力士表示：“在全球范围内率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

据悉，为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。同时，通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

SK海力士株式会社（SK hynix Inc.）宣布，已完成321层2Tb QLC NAND闪存产品的开发，并已启动量产。这一成就标志着全球首次采用QLC技术实现超过300层的堆叠，为NAND闪存密度树立了新的行业标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上

AI推理服务器主要负责分析以及处理大量数据，而这类应用存取模式以读取为主，写入频率相对较低，正好契合QLC SSD的特性。